ZHCT938A May 2025 – November 2025
鑒于服務(wù)器和人工智能 (AI) 市場的快速增長,單機(jī)架能耗正從 100kW 攀升至超過 1MW。這一增長要求設(shè)計人員從根本上重新構(gòu)想從電網(wǎng)到處理器柵極的整個數(shù)據(jù)中心電力輸送路徑。
就在幾年前,48V 基礎(chǔ)設(shè)施還被視為“下一個重大挑戰(zhàn)”,但在 1MW 級機(jī)架中使用 48V 配電將需要近 450 磅銅材來控制配電損耗,這在重量和成本上都是不可持續(xù)的。如今,TI 的電源管理與傳感技術(shù)可實現(xiàn)高達(dá) 800V 的直流架構(gòu)。因此,我們與 Nvidia 合作開發(fā)了 800V 高壓直流配電生態(tài)系統(tǒng),以滿足持續(xù)增長的計算與電力需求。
高壓電力轉(zhuǎn)換是未來 AI 數(shù)據(jù)中心電力輸送架構(gòu)的核心。氮化鎵 (GaN) 等技術(shù)可在此類系統(tǒng)中實現(xiàn)高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
此外,要確保 800V直流 系統(tǒng)安全運行,需要高壓傳感、保護(hù)和安全隔離。800V高壓直流系統(tǒng)架構(gòu)需要固態(tài)繼電器、高壓熱插拔、用于備用電池單元和中央電池單元的高精確度電池監(jiān)測器、隔離式柵極驅(qū)動器、隔離式電流傳感器及電壓傳感器等產(chǎn)品與技術(shù),如 圖 1 所示。
圖 1 800V 高壓直流系統(tǒng)架構(gòu)這類系統(tǒng)架構(gòu)能為數(shù)據(jù)中心提供高可靠性、高能效的電力分配方案。
要在 48V 與處理器功率級別提升功率密度及熱管理效率,除高壓直流配電外,還需要更多創(chuàng)新。本質(zhì)上,雖然功率需求持續(xù)增長,但機(jī)架和托盤尺寸不應(yīng)增大。電源解決方案必須向更高密度與更高效率演進(jìn)。
TI 的 100V 中壓 GaN 技術(shù)助力 48V 供電向更高效率與密度發(fā)展,實現(xiàn)更強(qiáng)集成度、更優(yōu)能效及更小的整體解決方案尺寸。我們的集成式 GaN 解決方案簡化了以往更復(fù)雜、密度更高且效率更高的中間總線轉(zhuǎn)換器架構(gòu)。
為滿足當(dāng)今系統(tǒng)超過 1,000A 的處理需求,需要高頻多相處理器供電方案。TI 的高性能雙極性互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 雙擴(kuò)散 MOS (DMOS) 電源工藝可降低多相處理器的功耗。在這方面,TI 也正在和 Nvidia 緊密合作,共同定義新一代多相解決方案要求,以支持超過 1MW 的機(jī)架發(fā)展趨勢。
隨著技術(shù)演進(jìn)和需求日益復(fù)雜,TI 與 Nvidia 的合作將持續(xù)為未來系統(tǒng)提供集成式高性能解決方案,融合世界級能源與 AI 專業(yè)技術(shù),共同推動切實的革命性進(jìn)展。
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