ZHCAFS1A February 2019 – September 2025 LM1117-Q1 , LM317 , LP2951 , LP2951-Q1 , LP2985 , TL1963A , TL1963A-Q1 , TLV1117 , TLV709 , TLV755P , TLV761 , TLV766-Q1 , TLV767 , TLV767-Q1 , TPS709 , TPS709-Q1 , TPS715 , TPS745 , TPS7A16A , TPS7A16A-Q1 , TPS7A25 , TPS7A26 , TPS7A43 , TPS7A44 , TPS7A47 , TPS7A47-Q1 , TPS7A49 , TPS7B63-Q1 , TPS7B68-Q1 , TPS7B69-Q1 , TPS7B81 , TPS7B81-Q1 , TPS7B82-Q1 , TPS7B83-Q1 , TPS7B84-Q1 , TPS7B85-Q1 , TPS7B86-Q1 , TPS7B87-Q1 , TPS7B88-Q1 , TPS7B91 , TPS7B92 , TPS7C84-Q1 , UA78L , UA78M , UA78M-Q1
LDO 在結(jié)至環(huán)境熱阻 θJA 方面的熱性能在很大程度上取決于 PCB 設(shè)計(jì)。但 PCB 對(duì)熱性能的影響最終受限于 LDO 的封裝類型。具有散熱焊盤的封裝（例如 WSON 和 TO-252 封裝）具有更強(qiáng)的散熱能力，因此與最壞情況的 1S0P 近似布局相比，其 θJA 整體降幅更大，分別達(dá)到 74% 和 71%。SOT-23 封裝體積更小，但仍有 54% 的顯著降低。圖 3-5 表明，與數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格相比，采用熱優(yōu)化布局可使 θJA 降低 32% 至 55%。該結(jié)果表明，使用數(shù)據(jù)表中規(guī)定的 θJA 進(jìn)行熱性能計(jì)算，得到的是偏保守的熱性能估算值。但設(shè)計(jì)人員需注意，高效熱布局可支持更高的工作環(huán)境溫度、更高的功耗水平，或同時(shí)兼具這兩項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。
圖 3-6表明，無論采用何種封裝，隨著 PCB 銅含量增加，熱性能提升會(huì)逐漸趨于飽和。對(duì)于這三款封裝，熱增強(qiáng)型布局的銅面積約為熱飽和型布局的一半，但其θJA 的差異在 8% 以內(nèi)。同樣，通過增加散熱過孔實(shí)現(xiàn)的熱性能提升也會(huì)趨于飽和。從熱飽和型布局的結(jié)果可知，在 PCB 上額外增加過孔所帶來的好處很小。采用類似熱增強(qiáng)型布局的設(shè)計(jì)，即可實(shí)現(xiàn)足夠的熱性能。對(duì)于更緊湊的設(shè)計(jì)，可參見圖 3-4，該圖展示了 TLV755P (SOT-23) 的測(cè)量結(jié)果。這些結(jié)果表明，需最大限度增加頂層與底層的銅含量，因?yàn)檫@兩層不受額外 PCB 材料包裹，是散熱效率最高的區(qū)域。只需在器件周圍增設(shè)散熱過孔，即可將 LDO 產(chǎn)生的熱量有效傳導(dǎo)至其他銅層。在使用沒有散熱焊盤的封裝（例如 SOT-23 封裝）進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，這些過孔尤為重要。在這類情況下，也可將散熱過孔直接設(shè)置在器件正下方，即熱量產(chǎn)生最多的區(qū)域。根據(jù) https://www.jedec.org/system/files/docs/JESD51-9.pdf，帶有散熱焊盤的封裝需在散熱焊盤區(qū)域設(shè)置盡可能多的散熱過孔。最后，所有內(nèi)部斷開布局圖 3-6 的數(shù)據(jù)表明，如果可能，必須在內(nèi)層上加入額外的覆銅，即便這些銅箔未直接與 LDO 相連，也能對(duì)熱性能產(chǎn)生積極影響。