圖 3-2 仿真模型

仿真模型中的直流總線為 600V，并使用 2.7mA 電流源來(lái)模擬隔離式比較器，方波源 V5 則模擬半橋的開(kāi)關(guān)。低側(cè)電源為 15V。電容器 C2 和 C7 均為 1μF，而限流電阻器 R3 和 R5 為 5Ω。

隔離式比較器的電源電壓 (V_DC+) 和半橋中心點(diǎn)電壓 (V_half bridge) 在 1kHz 開(kāi)關(guān)頻率和 20% 占空比下測(cè)量，如圖 3-3 所示。

圖 3-3 1kHz、20% 占空比電源

在圖 3-3 中，電源在幾個(gè) PWM 周期后穩(wěn)定在 11.25V 和 8.92V 之間，也就是說(shuō)，存在 2.33V 的紋波。由于半橋電路會(huì)在第一個(gè)周期中先導(dǎo)通高側(cè) IGBT，因此隔離式比較器直到一個(gè)周期后才通電，也就是說(shuō)，系統(tǒng)在第一個(gè)周期中不受上電短路保護(hù)。Topic Link Label4 中提供了一種能夠盡可能降低風(fēng)險(xiǎn)的優(yōu)化解決方案。

在相同的開(kāi)關(guān)頻率和占空比條件下，逐漸將 C2 和 C7 同步電容值從 1μF 增加到 30μF。這種方法表明，電源電壓會(huì)逐漸增加并接近理想值 (13.6V)，而電源紋波也會(huì)減少。

圖 3-4 將電容值從 1μF 增加到 30μF

在圖 3-4 中，V_MAX 是可通過(guò)穩(wěn)定電源實(shí)現(xiàn)的最大電壓值。因此，建議將這兩個(gè)電容器的電容值控制在 5μF 以上，以獲得更穩(wěn)定的電源電壓。但電容值過(guò)大也會(huì)增加充電時(shí)間。