屏蔽利用的是磁阻的特性，對(duì)于磁場(chǎng)，其類似于對(duì)電流的電阻。磁場(chǎng)通過磁阻最小的路徑傳輸。與磁阻成相反關(guān)系的是磁導(dǎo)率。高磁導(dǎo)率的材料具有較低的磁阻，因此非常適合用于屏蔽目的，其實(shí)際上有助于會(huì)使磁場(chǎng)偏離霍爾傳感器。根據(jù)其滲透性，所選擇的材料必須具有一定的厚度，以確保該材料能夠?qū)⒋艌?chǎng)完全偏離器件，因?yàn)槠帘尾牧弦材軌蝻柡?。如果屏蔽材料出現(xiàn)飽和，過剩的磁通量就會(huì)繼續(xù)通過材料并對(duì)傳感器產(chǎn)生影響。

為了更加直觀地呈現(xiàn)屏蔽的工作原理，圖 6-1 和圖 6-2 中提供了屏蔽層和集中器示例。這兩張圖片中都有幾個(gè) μT 的均勻磁場(chǎng)沿著 Z 軸導(dǎo)引穿過檢查的物體。

第一張圖片顯示了 XZ 層的交叉部分，其中屏蔽外殼轉(zhuǎn)移了大部分磁場(chǎng)，而球體內(nèi)部空間的磁場(chǎng)強(qiáng)度大小要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于屏蔽層轉(zhuǎn)移的磁場(chǎng)強(qiáng)度。

第二張圖片在與上圖相同磁場(chǎng)內(nèi)的器件下插入了一個(gè)線圈集中器結(jié)構(gòu)。這里也檢查了 XZ 交叉部分。上方椎體結(jié)構(gòu)將進(jìn)入底部的大部分磁場(chǎng)引導(dǎo)向椎體尖端，由尖端退出并傳輸?shù)较路阶刁w的尖端，然后繼續(xù)向下移動(dòng)。請(qǐng)注意，此類結(jié)構(gòu)是第一個(gè)圖片中屏蔽層的雙重形式，不建議用作屏蔽幾何形狀。這也意味著，器件上方的任何導(dǎo)線或承載磁通的元件都可能對(duì)測(cè)量造成影響，包括調(diào)試期間，因此應(yīng)確保這類器件受到控制并遠(yuǎn)離傳感器。

請(qǐng)注意，對(duì)于圖示，在制造或選擇屏蔽體形狀時(shí)，可能無(wú)法獲得完美的球形，也無(wú)法按模擬中所示完全密封器件。這個(gè)圖片用作概念展示，在給定的系統(tǒng)中，某些幾何形狀可能要比其他形狀更加有效。

總的來(lái)說(shuō)，如果選擇屏蔽作為緩解磁場(chǎng)影響的方法，則請(qǐng)確保選擇正確的材料，并且形狀和大小合適，從而保證實(shí)現(xiàn)恰當(dāng)?shù)拇艌?chǎng)轉(zhuǎn)向。