NESY036B September 2021 – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02
減少 IQ 可能也會造成較大被動或 IC 封裝尺寸所需的機板面積增加。LDO 與 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的大數(shù)值電容器等大型外部被動元件在奈米功率裝置中十分常見，通常用來補償較差的暫態(tài)性能。但封裝面積增加會直接影響晶粒面積。
在進行 IQ <1 μA 的晶粒拆解目視檢查時，會發(fā)現(xiàn)電阻器和電容器就佔掉內(nèi)部非場效應(yīng)電晶體 (FET) 晶粒面積的 20%。市面上有許多解決 IQ 面積問題的解決方案，篩選出最佳解決方案的簡單方法是套用簡單的 FOM：IQ 乘以最小封裝面積。您可從產(chǎn)品規(guī)格書中相關(guān)資訊取得 FOM；查看我們提供的最小封裝即可對小型晶粒面積有點概念。
選擇具備最低 IQ 和最小可用封裝的裝置，通常代表 IQ 面積效率較高。