1 特性

• 60A 持續(xù)運(yùn)行電流能力
• 1.2V/30A 下系統(tǒng)效率達(dá) 94.4%
• 30A 電流下功率損耗低至 2.3W
• 高頻工作（高達(dá) 1.25MHz）
• 支持強(qiáng)制連續(xù)傳導(dǎo)模式 (FCCM) 的二極管仿真模式
• 溫度補(bǔ)償雙向電流感測(cè)
• 模擬溫度輸出（0°C 時(shí) 600mV）
• 故障監(jiān)控
  • 高端短路、過流和過熱保護(hù)
• 3.3V 和 5V 脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào)兼容
• 三態(tài) PWM 輸入
• 集成型自舉二極管
• 優(yōu)化了擊穿保護(hù)死區(qū)時(shí)間
• 高密度小外形尺寸無引線 (SON) 5mm x 6mm 封裝
• 超低電感封裝
• 系統(tǒng)優(yōu)化的 PCB 封裝
• DualCool™封裝
• 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) - 無鉛引腳鍍層
• 無鹵素

2 應(yīng)用

• 多相位同步降壓轉(zhuǎn)換器
  • 高頻 應(yīng)用
  • 高電流、低占空比 應(yīng)用
• 負(fù)載點(diǎn) (POL) 直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
• 內(nèi)存和圖形卡

3 說明

CSD95472Q5MC NexFET™智能功率級(jí)的設(shè)計(jì)針對(duì)高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器中的使用進(jìn)行了高度優(yōu)化。這個(gè)產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器集成電路 (IC) 和功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 來完善功率級(jí)開關(guān)功能。這個(gè)組合在小型 5mm x 6mm 外形尺寸封裝中產(chǎn)生出高電流、高效和高速切換功能。它還集成了準(zhǔn)確電流感測(cè)和溫度感測(cè)功能，以簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提高準(zhǔn)確度。此外，已對(duì) PCB 封裝進(jìn)行了優(yōu)化以幫助減少設(shè)計(jì)時(shí)間并簡(jiǎn)化總體系統(tǒng)設(shè)計(jì)的完成。

間隔

應(yīng)用圖表

典型功率級(jí)效率與功率損耗