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ZHCSZF0 December 2025 TPSM8D7420 , TPSM8D7620

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

APT|56
- MPBGB14A

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

6.5 電氣特性

在建議的輸入電壓范圍內(nèi)，T_J = –40°C 至 +125°C。典型值在 T_J = 25°C 和 V_IN = 12V 條件下測得（除非另有說明）

參數(shù)		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
電源
I_Q	VIN1 + VIN2 多相模式下靜態(tài)電流	非開關(guān)、V_EN = 2V、MSEL = 41.2kΩ、RT = 6.8kΩ、SS = 0V		2	4.9	mA
I_Q	VIN1 + VIN2 多輸出模式下靜態(tài)電流	非開關(guān)、V_EN = 2V、MSEL = 29.4kΩ、RT = 6.8kΩ、SS = 0V		4.3	8.2	mA
I_SD	VIN1 + VIN2 中的關(guān)斷電源電流	V_EN = 0V		2	10.1	μA
UVLO
VIN_UVLO(R)	VIN UVLO 上升閾值	V_IN 上升		3.5	3.8	V
VIN_UVLO(F)	VIN UVLO 下降閾值	V_IN 下降		2.5	3	V
VIN_UVLO(H)	VIN UVLO 遲滯			1.2		V
ENABLE
V_EN(R)	EN 電壓上升閾值	EN 上升，啟用開關(guān)	1.125	1.25	1.375	V
V_EN(F)	EN 電壓下降閾值	EN 下降，禁用開關(guān)	0.75	0.84	1.0	V
V_EN(H)	EN 電壓遲滯		0.25	0.4	0.55	V
V_EN(W)	EN 電壓喚醒閾值		0.4			V
I_EN	EN 引腳拉電流后 EN 上升閾值	V_EN = V_IN = 12V			400	nA
內(nèi)部 LDO
V_VCC	內(nèi)部 LDO 輸出電壓	V_IN≥ 5V，I_VCC≤ 100mA	4	4.4	5	V
I_VCC	內(nèi)部 LDO 短路電流限制	V_IN = 12V	130	220		mA
基準電壓
V_{FB_INT}	FB 基準電壓	選擇內(nèi)部補償，無負載電流。	595.5	600	604.5	mV
V_{FB_EXT}	FB 基準電壓	選擇外部補償，V_COMP = 0.6V	595.5	600	604.5	mV
I_FB(LKG)	FB 輸入泄漏電流	V_FB = 0.6V		10	250	nA
誤差放大器
g_m-ext	EA 跨導 - 外部比較器	V_FB = V_COMP	840	1000	1150	μS
I_COMP(src)	EA 拉電流 — 外部比較器	V_COMP = 1V，V_FB = 0.4V	100	155	400	μA
I_COMP(sink)	EA 灌電流 — 外部比較器	V_COMP = 1V，V_FB = 0.8V	50	155	500	μA
開關(guān)頻率
f_SW-max(FCCM)	開關(guān)頻率，F(xiàn)CCM 運行	R_RT = 6.81kΩ 至 AGND	1.95	2.2	2.4	MHz
f_SW_(FCCM)	可調(diào)開關(guān)頻率范圍	R_RT 電阻器，從 6.81kΩ 至 39.2kΩ 至 AGND	0.4		2.2	MHz
同步
V_IH(sync)	SYNC 高電平閾值			1.25	1.5	V
V_IL(sync)	SYNC 低電平閾值		0.65	1.0		V
V_OH(sync)	同步輸出高電壓最小值	SYNC_OUT 引腳上無負載		4.4		V
V_OL(sync)	同步輸出低電壓最大值	SYNC_OUT 引腳上無負載		0.6		V
f_SYNC-2p2	頻率同步范圍約為 2.2MHz	R_RT = 6.81kΩ 至 AGND	1.76	2.2	2.64	MHz
f_SYNC-0p4	頻率同步范圍約為 400kHz	R_RT = 39.2kΩ 至 AGND	320	400	480	kHz
t_SYNC(IH)	外部同步信號的最小脈沖寬度高于 V_IH(sync)			50		ns
t_SYNC(IL)	外部同步信號的最小脈沖寬度低于 V_IL(sync)			50		ns
t_{SYNC-SW(delay)}	從 SYNC 上升沿到 SW 上升沿的延遲			40		ns
啟動
I_SS(R)	軟啟動充電電流	V_SS = 0V		21		μA
t_EN	EN 高電平到開關(guān)延遲開始	V_IN > VIN_UVLO(R)			1300	μs
R_SS(F)	軟啟動放電電阻			22	45	Ω
功率級
t_ON(min)	最小 ON 脈沖寬度 ⁽¹⁾	V_IN = 12V		45	60	ns
t_OFF(min)	最小 OFF 脈沖寬度 ⁽¹⁾	V_IN = 4V		60	105	ns
過流保護
I_HS(OC1)	高側(cè)峰值電流限值TPSM8D7620	HS FET 上的峰值電流限值	8.2	9	9.6	A
I_HS(OC2)	高側(cè)峰值電流限值TPSM8D7420	HS FET 上的峰值電流限值	6.3	7.2	8.2	A
I_LS(OC1)	低側(cè)谷值電流限值 TPSM8D7620	LS FET 上的谷值電流限制	5.9	6.8	7.2	A
I_LS(OC2)	低側(cè)谷值電流限值 TPSM8D7420	LS FET 上的谷值電流限制	4.4	5.4	6.4	A
I_LS1(NOC)	低側(cè)負電流限值 TPSM8D7620	LS FET 上的灌電流限制		-4	-3	A
I_LS3(NOC)	低側(cè)負電流限值 TPSM8D7420	LS FET 上的灌電流限制		-3.5	-2.5	A
V_Hiccup-FB	FB 引腳上的斷續(xù)閾值	HS FET 導通時間 > 165ns	0.18	0.23	0.3	V
t_Hiccup-1	進入斷續(xù)前的等待時間		126	128	130	電流限制周期
t_Hiccup-2	重啟之前的斷續(xù)時間		50	70		ms
輸出放電
R_Discharge	輸出放電電阻	V_IN = 12V，V_OUT = 2.5V，禁用電源轉(zhuǎn)換		19.5		Ω
電源正常
V_PGTH-1	電源正常閾值 (PG)	PGOOD 低電平，V_FB 上升	93	96	99	% V_REF
V_PGTH-2	電源正常閾值 (PG)	PGOOD 高電平，V_FB 下降	91	93	95	% V_REF
V_PGTH-3	電源正常閾值 (PG)	PGOOD 高電平，V_FB 上升	109	113	117	% V_REF
V_PGTH-4	電源正常閾值 (PG)	PGOOD 低電平，V_FB 下降	107	110	113	% V_REF
t_PGOOD(R)	從 V_FB 有效到 PGOOD 高電平的 PG 延遲	V_VOUT = 3.3V	300		700	μs
t_PGOOD(F)	從 V_FB 無效到 PGOOD 低電平的 PG 延遲	V_VOUT = 3.3V		47		μs
I_PG(LKG)	開漏輸出高電平時的 PG 引腳漏電流	V_PG= 3.3V			0.075	μA
V_PG-D(LOW)	兩個通道的 PG 引腳輸出低電平電壓	I_PG= 1mA，V_EN = 0V，V_IN > V_{IN(PG_VALID).}			400	mV
R_PG	下拉 MOSFET 電阻	I_PG= 1mA，V_EN = 3.3V。		35	90	?
V_{IN(PG_VALID)}	有效 PG 輸出的最小 VIN	PG 上的上拉電阻 - R_PG = 10k?，PG 上的電壓上拉 - V_{PULLUP_PG} = 3V，V_PG-D_(LOW) = 0.4V			1.2	V
熱關(guān)斷
T_J(SD)	熱關(guān)斷閾值⁽¹⁾	溫度上升	153	167	186	°C
T_J(HYS)	熱關(guān)斷遲滯 ⁽¹⁾			9		°C
T_sense	溫度檢測精度 ⁽¹⁾	在 T_A=25°C 下校準后	-10		+10	°C

(1) 經(jīng)設計驗證。