ZHCSYK2A July 2025 – November 2025 TPSM65620 , TPSM65630
PRODUCTION DATA
與任何功率轉換器件一樣,該穩(wěn)壓器在運行時會消耗內部功率。這種功耗的影響是將轉換器的內部溫度升高到環(huán)境溫度以上。內核溫度 (TJ) 是環(huán)境溫度、功率損耗以及器件的有效熱阻 RθJA 和 PCB 組合的函數。TPSM656x0 的最高結溫必須限制為 150°C。這會限制器件的最大功率耗散,從而限制負載電流。方程式 9 顯示了重要參數之間的關系。較高的環(huán)境溫度 (TA) 和較大的 RθJA 值會降低最大可用輸出電流??梢允褂帽緮祿碇刑峁┑那€來估算轉換器效率。如果在其中某條曲線中找不到所需的運行條件,則可以使用內插來估算效率?;蛘撸梢哉{整 EVM 以匹配所需的應用要求,并且可以直接測量效率。RθJA 的正確值更難估計。如半導體和 IC 封裝熱指標 應用手冊中所述,熱性能信息 表中給出的值對于設計用途無效,不得用于估算應用的熱性能。該表中報告的值是在實際應用中很少獲得的一組特定條件下測量的。為 RθJC(bott) 和 ΨJT 提供的數據在確定熱性能時很有用。有關更多信息和本節(jié)末尾提供的資源,請參閱半導體和 IC 封裝熱指標 應用手冊。
其中
有效 RθJA 是一個關鍵參數,取決于許多因素,例如:
用于該穩(wěn)壓器的高級封裝使用裸片附接焊盤(或“散熱焊盤”(DAP))提供一個焊接到 PCB 散熱銅的位置。這種特性提供了從穩(wěn)壓器結到散熱器的良好導熱路徑,并且必須正確焊接到 PCB 散熱銅上。圖 8-3 中提供了 RθJA 與銅面積關系的典型曲線。圖中給出的銅面積對應于每層。頂層和底層為 2oz 覆銅,內層為 1oz。請記住,此圖表中給出的數據僅用于說明目的,任何給定應用中的實際性能取決于前面提到的所有因素。作為一個數據點,LM65645EVM 的銅面積約為 58cm2 時,RθJA 約為 25oC/W。
以下資源可用作理想熱 PCB 設計和針對給定應用環(huán)境估算 RθJA 的指南: