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ZHCSZ70 November 2025 TPS7N49

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

DSQ|10
- MPDS335B

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

5.5 電氣特性

在 V_EN = 1.1V、V_IN = V_OUT + 0.25V、C_BIAS = 0.1μF、C_IN 22μF，C_OUT = 10μF、C_SS = 1nF、I_OUT = 50mA、V_BIAS = 5.5V⁽²⁾ 且 T_J = –40°C 至 125°C 的條件下測得（除非另有說明）；典型值的測量溫度為 T_J = 25°C

參數		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
V_REF	內部基準（可調節(jié)）			0.5		V
V_BIAS(UVLO)	上升偏置電源 UVLO		1.0	1.25	1.75	V
V_{BIAS(UVLO)，HYST}	偏置電源 UVLO 遲滯			43		mV
	精度⁽¹⁾⁽³⁾	V_BIAS = 5.5V、50mA ≤ I_OUT ≤ 3.0A	-2	±0.8	2	%
ΔV_OUT_(ΔIOUT)	線路調整	V_OUT(nom) + 0.25V ≤ V_IN ≤ 5.5V		0.03		%/V
V_OUT	負載調整	50 mA ≤ I_OUT ≤ 3.0 A		0.09		%/A
V_DO(IN)	V_IN 壓降電壓	V_FB ≤0.97 × V_REF、0.75V ≤ V_IN ≤ 3.6V、I_OUT = 3.0A		178	270	mV
V_DO(BIAS)	V_BIAS 壓降電壓	V_FB ≤0.97 × V_REF、I_OUT = 3.0A、V_IN = V_BIAS= 2.7V		1.45	1.6	V
I_CL	輸出電流限制	V_OUT = 80% × V_OUT(nom)、V_IN(nom)= V_OUT(nom)+ 0.5V	4.0	4.6	5.3	A
I_BIAS	BIAS 引腳電流	I_OUT = 0mA		0.04	0.1	mA
I_BIAS	BIAS 引腳電流	I_OUT = 50mA		0.67	1.1	mA
I_SHDN	關斷電源電流 (I_GND)	V_EN ≤ 0.4V、V_OUT = 0.5V		0.9	10	μA
I_FB	反饋引腳電流		-0.3	±0.12	0.3	μA
PSRR	電源抑制比，V_IN 至 V_OUT	1kHz，I_OUT = 3.0A，V_IN = 1.1V，V_OUT = 0.5V		65		dB
	電源抑制比，V_IN 至 V_OUT	300kHz，I_OUT = 3.0A，V_IN = 1.1V，V_OUT = 0.5V		38
	電源抑制比，V_BIAS 至 V_OUT	1kHz，I_OUT = 3.0A，V_IN = 1.1V，V_OUT = 0.5V		58
	電源抑制比，V_BIAS 至 V_OUT	300kHz，I_OUT = 3.0A，V_IN = 1.1V，V_OUT = 0.5V		34
V_n	輸出噪聲電壓	BW = 10Hz 至 100kHz，I_OUT = 3.0A，C_SS = 1nF		5.8		μVrms x Vout
t_STR	最短啟動時間	從 EN 為高電平且達到 V_OUT(NOM) 的 98%、I_OUT = 1.0A、C_SS =開路時開始		170		μs
I_SS	軟啟動充電電流	V_SS = 0.4V		7.5		μA
t_SS	軟啟動時間	Css = 10nF		0.9		ms
V_EN(hi)	使能輸入高電平		1.1		5.5	V
V_EN(lo)	使能輸入低電平		0		0.4	V
V_EN(hys)	使能引腳遲滯			55		mV
V_EN(dg)	使能引腳抗尖峰脈沖時間			17		μs
I_EN	使能引腳電流	V_EN = 5V		0.1	0.5	μA
V_IT	PG 跳變閾值	V_OUT 降低	85	90	94	%V_OUT
V_HYS	PG 跳變遲滯			2.5		%V_OUT
V_PG(lo)	PG 輸出低電壓	I_PG = 1mA（灌電流），V_OUT < V_IT			0.125	V
I_PG(lkg)	PG 漏電流	V_PG = 5.25V，V_OUT > V_IT		0.01	0.1	μA
T_J	工作結溫		-40		125	℃
T_SD	熱關斷溫度	關斷，溫度升高		165		℃
T_SD	熱關斷溫度	復位，溫度降低		140		℃

(1) 器件在 0.5V 下測試；不考慮電阻器容差。

(2) V_OUT ≥ 3.4V 時，V_BIAS = V_{DO_MAX(BIAS)} + V_OUT

(3) 由于功率耗散高于封裝的最大額定值，未在 V_IN > V_OUT + 1.65V 且 I_OUT = 1.5A 的條件下測試該器件。此外，此精度規(guī)格不適用于超過受測封裝功率耗散限制的任何應用條件。