對(duì)于所有應(yīng)用，TI 建議在 IN 引腳和 GND 引腳之間使用 0.01μF 或更大的陶瓷去耦電容器。

對(duì)于所有應(yīng)用，TI 建議在 OUT 引腳和 GND 引腳之間使用 10μF 或更大的陶瓷去耦電容器。

去耦電容器的最優(yōu)放置位置是緊靠器件的 IN 引腳和 GND 引腳的位置。請(qǐng)務(wù)必注意，盡量減小旁路電容器連接和 IC 的 IN 引腳及 GND 引腳所構(gòu)成的環(huán)路區(qū)域。如需 PCB 布局示例，請(qǐng)參閱下圖。

高載流電源路徑連接必須盡可能短，并且其大小必須能夠承載至少兩倍的滿載電流。

必須在 IC 的引腳處將 GND 引腳連接至 PCB 接地平面。PCB 接地必須是電路板上的一個(gè)銅層或銅島。

IN 和 OUT 引腳用于散熱。通過(guò)散熱過(guò)孔連接至盡可能多的銅區(qū)域。

• R_ILIM

• R_IMON

• C_IMON

• C_IREF

• C_dVdT

• C_ITIMER

• C_IN

• C_OUT

• C_VDD

• 用于 EN/UVLO 引腳的電阻器

采用最短的走線將元件另一端連接至器件的 GND 引腳。C_IN、C_OUT、C_VDD、R_IREF、C_IREF、R_ILIM、R_IMON、C_IMON、C_ITIMER 和 C_dVdt 元件到器件的布線必須盡可能短，以減少對(duì)電流限制、過(guò)流消隱間隔和軟啟動(dòng)時(shí)序的寄生效應(yīng)。這些走線不得與電路板中的開(kāi)關(guān)信號(hào)發(fā)生耦合。

由于 IMON、IREF 和 ITIMER 引腳直接控制器件的過(guò)流保護(hù)行為，因此這些節(jié)點(diǎn)的 PCB 布線必須遠(yuǎn)離任何噪聲（開(kāi)關(guān)）信號(hào)。

必須將保護(hù)器件（如 TVS、緩沖器、電容器或二極管）放置在緊靠保護(hù)器件要保護(hù)的器件的物理位置。必須使用短跡線為這些保護(hù)器件布線以減少電感。例如，TI 建議使用保護(hù)肖特基二極管來(lái)解決由于電感負(fù)載切換而導(dǎo)致的負(fù)瞬變，并且二極管必須位于靠近 OUT 引腳的物理位置。