ZHCSX01 August 2024 TAS2574
PRODUCTION DATA
封裝選項
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- YCG|36
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
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4 引腳配置和功能
圖 4-1 封裝頂層引腳排列視圖引腳功能
| 引腳 | 類型1 | 說明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號 | ||
| AD1 | B4 | I | I2C 地址引腳 LSB。 |
| AD2 | B5 | I | I2C 地址引腳 LSB+1。 |
| BGND | D1 | P | 升壓地。通過多個過孔可靠連接到 PCB GND 平面。 |
| D2 | |||
| D3 | |||
| DREG | A6 | P | 數(shù)字內(nèi)核穩(wěn)壓器輸出。使用一個電容器旁路至 GND。不要連接至外部負(fù)載。 |
| FSYNC | A2 | I | I2S 字時鐘或 TDM 幀同步。 |
| GREG | F4 | P | 高側(cè)柵極 CP 穩(wěn)壓器輸出。不要連接至外部負(fù)載。 |
| GND | A3 | P | 數(shù)字地。連接至 PCB GND 平面。需要通過多個過孔可靠連接到接地平面。 |
| C2 | |||
| C5 | |||
| IOVDD | A4 | P | 1.2V 或 1.8V 數(shù)字 IO 電源。使用電容器進(jìn)行去耦（連接至 GND）。 |
| IRQZ | B3 | O | 開漏、低電平有效中斷引腳。如果未使用可選內(nèi)部上拉電阻，則使用電阻器上拉至 IOVDD。 |
| OUT_N | F5 | O | D 類負(fù)輸出。 |
| OUT_P | F6 | O | D 類正輸出。 |
| PGND | D4 | P | D 類功率級地。通過多個過孔可靠連接到 PCB GND 平面。 |
| D5 | |||
| D6 | |||
| E4 | |||
| PVDD | F1 | P | 集成升壓輸出和 D 類功率級電源。 |
| F2 | |||
| F3 | |||
| SBCLK | A1 | I | I2S/TDM 串行位時鐘。 |
| SCL | B6 | I | I2C 時鐘引腳。使用電阻器上拉至 IOVDD。 |
| SDA | A5 | I/O | I2C 數(shù)據(jù)引腳。使用電阻器上拉至 IOVDD。 |
| SDIN | B2 | I | I2S 或 TDM 串行數(shù)據(jù)輸入。 |
| SDOUT | B1 | I/O | I2S 或 TDM 串行數(shù)據(jù)輸出。 |
| SDZ | C3 | I | 低電平有效硬件關(guān)斷。 |
| SW | E1 | P | 升壓轉(zhuǎn)換器開關(guān)輸入。 |
| E2 | |||
| E3 | |||
| VBAT | C1 | P | 電池電源輸入。連接至 2.5V 或 5.5V 電源，并使用電容器去耦。 |
| VBAT_SNS | C4 | I | 電池檢測端子。連接至 1S 或 2S 電池電源以進(jìn)行遠(yuǎn)程電池檢測。如果未使用遠(yuǎn)程檢測功能，請將引腳接地。 |
| VDD | C6 | P | 模擬、數(shù)字電源。連接至 1.8V 電源，并使用電容器去耦至 GND。 |
| VSNS_N | E5 | I | 電壓檢測負(fù)輸入。連接至揚聲器負(fù)極端子，盡可能靠近揚聲器。如果使用 EMI 濾波器，請?zhí)砑哟?lián)電阻器。 |
| VSNS_P | E6 | I | 電壓檢測正輸入。連接至揚聲器正極端子，盡可能靠近揚聲器。如果使用 EMI 濾波器，請?zhí)砑哟?lián)電阻器。 |
- I = 輸入，O = 輸出，I/O = 輸入或輸出，G = 接地，P = 電源。