ZHCST14B September 2023 – May 2025 LMG3622
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
GaN 功率 FET 的導(dǎo)通壓擺率可通過 RDRV 和 AGND 引腳之間的電阻設(shè)定為四個分立式設(shè)置之一。當(dāng) AUX 電壓上升到高于 AUX 上電復(fù)位電壓時,可在 AUX 上電期間確定一次壓擺率設(shè)置。壓擺率設(shè)置確定時間未指定,但大約為 0.4μs。
轉(zhuǎn)換率設(shè)置 展示了四個轉(zhuǎn)換率設(shè)置下的建議典型電阻編程值以及每個設(shè)置下的典型導(dǎo)通轉(zhuǎn)換率。如表中所示,開路連接對于設(shè)定壓擺率設(shè)置 0 是可接受的,短路連接(RDRV 短接至 AGND)對于設(shè)定壓擺率設(shè)置 3 是可接受的。
| 導(dǎo)通壓擺率設(shè)置 | 建議的典型設(shè)定電阻 (k?) | 典型導(dǎo)通壓擺率 (V/ns) | 注釋 |
|---|---|---|---|
| 0(最慢) | 120 | 17 | 可接受設(shè)定電阻的開路連接。 |
| 1 | 47 | 42 | |
| 2 | 22 | 65 | |
| 3(最快) | 5.6 | 125 | 可以接受設(shè)定電阻的短路連接(RDRV 短接到 AGND)。 |