ZHCSLG2B September 2021 – August 2022 LM74722-Q1
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 Revision History
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
- 7 Parameter Measurement Information
- 8 Detailed Description
-
9 Application and Implementation
- 9.1 Application Information
- 9.2
Typical 12-V Reverse Battery Protection Application
- 9.2.1 Design Requirements for 12-V Battery Protection
- 9.2.2
Detailed Design Procedure
- 9.2.2.1 Design Considerations
- 9.2.2.2 Boost Converter Components (C2, C3, L1)
- 9.2.2.3 Input and Output Capacitance
- 9.2.2.4 Hold-Up Capacitance
- 9.2.2.5 Overvoltage Protection and Battery Monitor
- 9.2.2.6 MOSFET Selection: Blocking MOSFET Q1
- 9.2.2.7 MOSFET Selection: Load Disconnect MOSFET Q2
- 9.2.2.8 TVS Selection
- 9.2.3 Application Curves
- 9.3 What to Do and What Not to Do
- 10Power Supply Recommendations
- 11Layout
- 12Device and Documentation Support
- 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRR|12
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRR|12
訂購信息
3 說明
LM74722-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET，從而模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (GATE) 可驅(qū)動(dòng)第一個(gè) MOSFET 來代替肖特基二極管，實(shí)現(xiàn)反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持功能。具有快速導(dǎo)通和關(guān)斷比較器的強(qiáng)大升壓穩(wěn)壓器可確保在汽車測(cè)試（如 ISO16750 或 LV124）期間實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健、高效的 MOSFET 開關(guān)性能，期間 ECU 會(huì)收到輸入短時(shí)中斷以及頻率高達(dá) 200kHz 的交流疊加輸入信號(hào)。運(yùn)行期間的低靜態(tài)電流 35μA（最大值）可實(shí)現(xiàn)常開型系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在電源路徑中使用了第二個(gè) MOSFET 的情況下，該器件允許使用 EN 引腳實(shí)現(xiàn)負(fù)載斷開控制。在 EN 處于低電平時(shí)，靜態(tài)電流降至 3.3μA（最大值）。該器件具有可調(diào)節(jié)過壓切斷保護(hù)或使用 OV 引腳的過壓鉗位保護(hù)。
| 器件型號(hào) | 封裝(1) | 封裝尺寸（標(biāo)稱值） |
|---|---|---|
| LM74722-Q1 | WSON (12) | 3.00mm × 3.00mm |
低 IQ 理想二極管
具有開關(guān)輸出的低 IQ 理想二極管