ZHCSZ27 October 2025 LM5137
PRODMIX
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 相關(guān)產(chǎn)品
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說(shuō)明
- 7.3.1 輸入電壓范圍 (VIN)
- 7.3.2 輔助電源穩(wěn)壓器（VCC、BIAS1/VOUT1、VDDA）
- 7.3.3 精密啟用端（EN1、EN2）
- 7.3.4 開關(guān)頻率 (RT)
- 7.3.5 脈沖頻率調(diào)制和同步 (PFM/SYNC)
- 7.3.6 同步輸出 (SYNCOUT)
- 7.3.7 雙隨機(jī)展頻 (DRSS)
- 7.3.8 可配置軟啟動(dòng) (RSS)
- 7.3.9 輸出電壓設(shè)定點(diǎn)（FB1、FB2）
- 7.3.10 誤差放大器和 PWM 比較器（FB1、FB2、COMP1、COMP2）
- 7.3.11 電感器電流檢測(cè)（ISNS1+、BIAS1/VOUT1、ISNS2+、VOUT2）
- 7.3.12 超短可控導(dǎo)通時(shí)間
- 7.3.13 100% 占空比性能
- 7.3.14 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器（HO1、HO2、LO1、LO2）
- 7.3.15 輸出配置 (CNFG)
- 7.4 器件功能模式
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2 典型應(yīng)用
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHA|36
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHA|36
訂購(gòu)信息
7.3.14 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器（HO1、HO2、LO1、LO2）
LM5137 包含 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器和關(guān)聯(lián)的高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器來(lái)驅(qū)動(dòng)外部 N 溝道功率 MOSFET。高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器與集成式自舉二極管和外部自舉電容器 CBOOT 搭配使用。在低側(cè) MOSFET 的導(dǎo)通間隔期間，SW 電壓約為 0V，而 CBOOT 通過(guò)二極管從 VCC 充電。
LM5137 使用自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間方法來(lái)控制 HO 和 LO 輸出，因此兩個(gè)輸出（HO 和 LO）絕不會(huì)同時(shí)啟用，從而防止出現(xiàn)跨導(dǎo)。當(dāng)啟用控制器命令 LO 時(shí)，自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間邏輯會(huì)先禁用 HO 并等待 HO 至 GND 電壓降至 2V（典型值）以下。然后，LO 會(huì)在短暫延遲（HO 下降至 LO 上升延遲）后啟用。同樣，HO 導(dǎo)通會(huì)延遲，直到 LO 電壓降至 2V 以下。然后，HO 會(huì)在短暫延遲（LO 下降至 HO 上升延遲）后啟用。這項(xiàng)技術(shù)可確保任何尺寸的 N 溝道 MOSFET 元件或并聯(lián) MOSFET 配置具有足夠的死區(qū)時(shí)間。添加串聯(lián)柵極電阻器時(shí)要格外小心，因?yàn)榇祟愲娮杵骺赡軐?dǎo)致有效死區(qū)時(shí)間縮短。所選的高側(cè)功率 MOSFET 確定了相應(yīng)自舉電容值 CBOOT，如方程式 10 所示。
其中
- QG 是高側(cè) MOSFET 在適用柵極驅(qū)動(dòng)電壓（通常為 5V）下的總柵極電荷
- ΔVCBOOT 是高側(cè) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在導(dǎo)通后的電壓變化
若要確定 CBOOT，請(qǐng)選擇合適的 ΔVCBOOT，使可用的柵極驅(qū)動(dòng)電壓不會(huì)受到顯著影響。ΔVCBOOT 的可接受范圍為 100mV 至 200mV。自舉電容器必須為低 ESR 陶瓷電容器，典型值為 0.1μF。當(dāng)標(biāo)稱 VCC 電壓為 5V 時(shí)，需要使用具有 RDS(on) 且額定電壓為 VGS = 4.5V 的邏輯電平功率 MOSFET。