ZHCSZ91 November 2025 LM5126A-Q1
PRODUCTION DATA
選擇一個(gè)邏輯電平 N 溝道 MOSFET，確保 5V VCC 足以完全增強(qiáng) MOSFET。另請(qǐng)注意，旁路操作期間的最小 HO-SW 電壓為 3.75V。確保 MOSFET 在該電壓下導(dǎo)通。
通過(guò)分解損耗來(lái)選擇功率 MOSFET 器件是比較不同器件的相對(duì)效率的一種方式。低側(cè) MOSFET 器件的損耗分為導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。
低側(cè)導(dǎo)通損耗大致計(jì)算如下：
其中，系數(shù) 1.3 用于考慮 MOSFET 導(dǎo)通電阻因發(fā)熱而出現(xiàn)的增加?；蛘?，使用 MOSFET 數(shù)據(jù)表中的 RDS(ON) 與溫度曲線來(lái)估算 MOSFET 的高溫導(dǎo)通電阻。
在低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)的短暫轉(zhuǎn)換期間發(fā)生開關(guān)損耗。在轉(zhuǎn)換期間，MOSFET 器件的溝道中同時(shí)出現(xiàn)電流和電壓。低側(cè)開關(guān)損耗大致計(jì)算如下：
tR 和 tF 是低側(cè) MOSFET 的上升和下降時(shí)間。上升和下降時(shí)間通常在 MOSFET 數(shù)據(jù)表中提及，也可利用示波器根據(jù)經(jīng)驗(yàn)觀察到。
高側(cè) MOSFET 的反向恢復(fù)會(huì)增加低側(cè) MOSFET 的下降時(shí)間和導(dǎo)通電流，從而導(dǎo)致更高的導(dǎo)通損耗。
可以與低側(cè) MOSFET 并聯(lián)一個(gè)額外的肖特基二極管，并使源極和漏極具有短的連接，從而更大限度地減少 SW 節(jié)點(diǎn)處的負(fù)電壓尖峰。