ZHCSLE0B August 2021 – August 2023 JFE2140
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 Revision History
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
- 7 Parameter Measurement Information
- 8 Detailed Description
- 9 Application and Implementation
- 10Device and Documentation Support
- 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DSG|8
訂購(gòu)信息
3 說(shuō)明
JFE2140 是使用德州儀器 (TI) 現(xiàn)代高性能模擬雙極工藝構(gòu)建的 Burr-Brown? 音頻、匹配對(duì)分立式 JFET。JFE2140 具有以前較舊的分立式 JFET 技術(shù)所不具備的性能。JFE2140 在所有電流范圍內(nèi)均提供出色的噪聲性能，靜態(tài)電流可由用戶設(shè)置，范圍為 50 μA 至 20 mA。當(dāng)偏置電流為 5 mA 時(shí)，該器件會(huì)產(chǎn)生 0.9 nV/√Hz 的輸入?yún)⒖荚肼?，從而以極高的輸入阻抗 (>1TΩ) 提供超低噪聲性能。此外，按照 ±4mV 測(cè)試 JFET 之間的匹配，可為差分對(duì)配置提供低失調(diào)電壓和高 CMRR 性能。JFE2140 還具有連接到獨(dú)立鉗位節(jié)點(diǎn)的集成二極管，無(wú)需添加高泄漏、非線性外部二極管即可提供保護(hù)。
JFE2140 可承受 40V 的高漏源電壓，以及低至 –40V 的柵源電壓和柵漏電壓。該器件額定工作溫度范圍為 –40°C 至 +125°C。
(1) 如需了解所有可用封裝，請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表末尾的封裝選項(xiàng)附錄。
(2) 封裝尺寸（長(zhǎng) x 寬）為標(biāo)稱值，并包括引腳（如適用）。
器件概要
| 參數(shù) | 值 | |
|---|---|---|
| VGSS | 柵源擊穿電壓 | -40V |
| VDSS | 漏源擊穿電壓 | ±40V |
| CISS | 輸入電容 | 13 pF |
| VGS1 – VGS2 | 差分柵源電壓匹配（最大值） | ±4mV |
| TJ | 結(jié)溫 | –40°C 至 +125°C |
| IDSS | 漏源飽和電流 | 18 mA |
簡(jiǎn)化版原理圖
超低輸入電壓噪聲