ZHCSZ00B May 2024 – January 2026 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
如果 VDS 過流比較器上的電壓高于 VDS_LVL 的時(shí)間超過 tDS_DG 時(shí)間,則會(huì)檢測到 VDS 過流條件。電壓閾值和抗尖峰脈沖時(shí)間可通過 VDS_xx_LVL 和 VDS_DG 寄存器設(shè)置進(jìn)行調(diào)整。
VDS 過流監(jiān)測器可以在通過 VDS_MODE 寄存器設(shè)置進(jìn)行設(shè)定的四種不同模式下進(jìn)行響應(yīng)和恢復(fù)。
當(dāng)發(fā)生 VDS 過流故障時(shí),可配置柵極下拉電流,以便增加或減少禁用外部 MOSFET 的時(shí)間。這有助于避免在大電流短路條件下關(guān)斷速度過慢的問題。此設(shè)置通過 VDS_IDRVN 寄存器設(shè)置進(jìn)行配置。