ZHCSZ00B May 2024 – January 2026 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
傳播延遲降低 (PDR) 控制有兩個主要功能,即預充電傳播延遲降低功能和后充電加速功能。
傳播延遲降低 (PDR) 的主要目標是通過在 MOSFET QGD 米勒區(qū)域之前使用動態(tài)預充電和預放電電流來降低外部 MOSFET 的導通和關斷延遲。這可以使驅動器實現(xiàn)更高和更低的占空比分辨率,同時仍滿足復雜的 EMI 要求。
后充電加速功能使 MOSFET 能夠更快地達到低電阻或關斷狀態(tài),從而通過在 MOSFET QGD 米勒區(qū)域之后增加后充電和放電后柵極電流來更大限度地降低功率損耗。
圖 7-23 中顯示了 MOSFET 預充電和后充電電流曲線的示例。如圖 7-24 中所示,對 MOSFET 預放電和后放電重復相同的控制環(huán)路。節(jié) 7.4.5.2.8 中顯示了不同 PWM 和電機情況下完整控制環(huán)路的幾個示例。
圖 7-23 PDR 充電曲線
圖 7-24 PDR 放電曲線