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UCC5870-Q1

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適用于 IGBT/SiC 的汽車級 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離式柵極驅(qū)動器

產(chǎn)品詳情

Number of channels 1 Isolation rating Basic Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5250 Peak output current (A) 30 Peak output current (source) (typ) (A) 30 Peak output current (sink) (typ) (A) 30 Features Active miller clamp, Fault reporting, Programmable dead time, SPI, Short circuit protection, Soft turn-off, Soft turnoff, Two-level turn-off, Two-level turnoff Output VCC/VDD (min) (V) 15 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1000 Rise time (ns) 150 Fall time (ns) 150 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable TI functional safety category Functional Safety-Compliant
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SSOP (DWJ) 36 131.84 mm2 12.8 x 10.3
  • 分離輸出驅(qū)動器，以提供峰值為 30A 的拉電流和峰值為 30A 的灌電流
  • 柵極驅(qū)動強度動態(tài)可調(diào)
  • 具有 150ns（最大值）傳播延遲和可編程最小脈沖抑制的互鎖和擊穿保護
  • 支持初級側(cè)和次級側(cè)主動短路 (ASC)
  • 可配置功率晶體管保護
    • 基于 DESAT 的短路保護
    • 基于分流電阻器的過流和短路保護
    • 基于 NTC 的過熱保護
    • 在功率晶體管發(fā)生故障時提供可編程軟關(guān)斷 (STO) 和兩級關(guān)斷 (2LTOFF) 保護
  • 功能安全合規(guī)型
  • 集成型診斷：
    • 針對保護比較器的內(nèi)置自檢 (BIST)
    • IN+ 至晶體管柵極路徑完整性
    • 功率晶體管閾值監(jiān)測
    • 內(nèi)部時鐘監(jiān)測
    • 故障警報 (nFLT1) 和警告 (nFLT2) 輸出
  • 集成式 4A 有源米勒鉗位或可選的米勒鉗位晶體管外部驅(qū)動器
  • 高級高壓鉗位控制
  • 內(nèi)部和外部電源欠壓和過壓保護
  • 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認(rèn)輸出低電平
  • 提供內(nèi)核溫度檢測和過熱保護
  • 在 V CM = 1000V 時，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100 kV/μs
  • 可通過 SPI 對器件進行重新配置、驗證、監(jiān)控和診斷
  • 用于功率晶體管溫度、電壓、電流監(jiān)測的集成式 10 位 ADC
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • 符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)且長達 1 分鐘的 3750V RMS 隔離（計劃）
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
    • 器件溫度等級 0：–40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度
    • 器件 HBM ESD 分類等級 2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4b
  • 分離輸出驅(qū)動器，以提供峰值為 30A 的拉電流和峰值為 30A 的灌電流
  • 柵極驅(qū)動強度動態(tài)可調(diào)
  • 具有 150ns（最大值）傳播延遲和可編程最小脈沖抑制的互鎖和擊穿保護
  • 支持初級側(cè)和次級側(cè)主動短路 (ASC)
  • 可配置功率晶體管保護
    • 基于 DESAT 的短路保護
    • 基于分流電阻器的過流和短路保護
    • 基于 NTC 的過熱保護
    • 在功率晶體管發(fā)生故障時提供可編程軟關(guān)斷 (STO) 和兩級關(guān)斷 (2LTOFF) 保護
  • 功能安全合規(guī)型
  • 集成型診斷：
    • 針對保護比較器的內(nèi)置自檢 (BIST)
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    • 功率晶體管閾值監(jiān)測
    • 內(nèi)部時鐘監(jiān)測
    • 故障警報 (nFLT1) 和警告 (nFLT2) 輸出
  • 集成式 4A 有源米勒鉗位或可選的米勒鉗位晶體管外部驅(qū)動器
  • 高級高壓鉗位控制
  • 內(nèi)部和外部電源欠壓和過壓保護
  • 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認(rèn)輸出低電平
  • 提供內(nèi)核溫度檢測和過熱保護
  • 在 V CM = 1000V 時，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100 kV/μs
  • 可通過 SPI 對器件進行重新配置、驗證、監(jiān)控和診斷
  • 用于功率晶體管溫度、電壓、電流監(jiān)測的集成式 10 位 ADC
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • 符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)且長達 1 分鐘的 3750V RMS 隔離（計劃）
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
    • 器件溫度等級 0：–40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度
    • 器件 HBM ESD 分類等級 2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4b

UCC5870-Q1 器件是一款高度可配置的隔離式單通道柵極驅(qū)動器，在電動汽車/混合動力汽車應(yīng)用中用于驅(qū)動高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件提供功率晶體管保護，例如基于分流電阻器的過流保護、基于 NTC 的過熱保護以及 DESAT 檢測，還在這些故障期間提供可選的軟關(guān)斷或兩級關(guān)斷。為了進一步縮小應(yīng)用尺寸， UCC5870-Q1 集成了在開關(guān)期間可用的 4A 有源米勒鉗位，以及在驅(qū)動器未通電時可用的有源柵極下拉電阻。集成的 10 位 ADC 可用于監(jiān)控多達六個模擬輸入以及柵極驅(qū)動器溫度，從而增強系統(tǒng)管理。集成的診斷和檢測功能可簡化符合 ASIL-D 標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)的設(shè)計。這些功能的參數(shù)和閾值可使用 SPI 接口進行配置，因此該器件幾乎可與任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。

UCC5870-Q1 器件是一款高度可配置的隔離式單通道柵極驅(qū)動器，在電動汽車/混合動力汽車應(yīng)用中用于驅(qū)動高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件提供功率晶體管保護，例如基于分流電阻器的過流保護、基于 NTC 的過熱保護以及 DESAT 檢測，還在這些故障期間提供可選的軟關(guān)斷或兩級關(guān)斷。為了進一步縮小應(yīng)用尺寸， UCC5870-Q1 集成了在開關(guān)期間可用的 4A 有源米勒鉗位，以及在驅(qū)動器未通電時可用的有源柵極下拉電阻。集成的 10 位 ADC 可用于監(jiān)控多達六個模擬輸入以及柵極驅(qū)動器溫度，從而增強系統(tǒng)管理。集成的診斷和檢測功能可簡化符合 ASIL-D 標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)的設(shè)計。這些功能的參數(shù)和閾值可使用 SPI 接口進行配置，因此該器件幾乎可與任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。
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* 數(shù)據(jù)表 UCC5870-Q1具有高級保護功能、適用于汽車應(yīng)用的 30A 隔離式 IGBT/SiC MOSFET 柵極驅(qū)動器 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2023年 4月 27日

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

支持和培訓(xùn)