TPS51200A-Q1
- 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn):
- 器件溫度等級(jí) 1:
–40°C ≤ TA ≤ 125°C - 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 2
- 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C4B
- 器件溫度等級(jí) 1:
- 擴(kuò)展的可靠性測(cè)試
- 輸入電壓:支持 2.5V 和 3.3V 電源軌
- VLDOIN 電壓范圍:1.1V 至 3.5V
- 具有壓降補(bǔ)償功能的灌電流和拉電流終端穩(wěn)壓器
- 所需最小輸出電容為 20μF(通常為 3 × 10μF MLCC),用于存儲(chǔ)器終端 應(yīng)用 (DDR)
- 用于監(jiān)視輸出穩(wěn)壓的 PGOOD
- EN 輸入
- REFIN 輸入允許直接或通過電阻分壓器靈活進(jìn)行輸入跟蹤
- 遠(yuǎn)程檢測(cè) (VOSNS)
- ±10mA 緩沖基準(zhǔn) (REFOUT)
- 內(nèi)置軟啟動(dòng)、UVLO 和 OCL
- 熱關(guān)斷
- 符合 DDR、DDR2 JEDEC 規(guī)范;支持 DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 應(yīng)用
- 帶外露散熱焊盤的 VSON-10 封裝
TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器,專門針對(duì)低輸入電壓、低成本、低噪聲的空間受限型系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
此器件可保持快速的瞬態(tài)響應(yīng),最低僅需 20µF 輸出電容。此器件支持遙感功能,并且可滿足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
此外,該器件還提供一個(gè)開漏 PGOOD 信號(hào)來監(jiān)測(cè)輸出穩(wěn)壓,并提供一個(gè) EN 信號(hào)在 S3(掛起至 RAM)期間針對(duì) DDR 應(yīng)用進(jìn)行 VTT 放電。
此器件采用高效散熱型 VSON-10 封裝,具有綠色環(huán)保和無鉛的特性。該器件的額定溫度范圍為 –40°C 至 125°C。
技術(shù)文檔
| 頂層文檔 | 類型 | 標(biāo)題 | 格式選項(xiàng) | 下載最新的英語版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | TPS51200A-Q1 灌電流和拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2019年 3月 11日 |
| 應(yīng)用手冊(cè) | DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A) | 2020年 7月 9日 |
設(shè)計(jì)與開發(fā)
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TPS51200EVM — TPS51200 灌電流/拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器
TPS51200EVM 評(píng)估板 HPA322A 旨在評(píng)估 TI 的低成本 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 終端穩(wěn)壓器 TPS51200 的性能特性。TPS51200 旨在為 DDR 存儲(chǔ)器提供適當(dāng)?shù)慕K止電壓和 10mA 緩沖基準(zhǔn)電壓,該存儲(chǔ)器涵蓋 DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) 規(guī)格,并具有超少的外部元件。
TIDA-050071 — 用于 ADAS 和信息娛樂系統(tǒng)應(yīng)用的無電池處理器電源參考設(shè)計(jì)
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON (DRC) | 10 | Ultra Librarian |
訂購(gòu)和質(zhì)量
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識(shí)
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。