主頁(yè) 電源管理 柵極驅(qū)動(dòng)器 半橋驅(qū)動(dòng)器

TPS28225-Q1

正在供貨

具有 4V UVLO、用于同步整流的汽車類 4A、27V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

產(chǎn)品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 33 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 8 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Rating Automotive Propagation delay time (μs) 0.014 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 5 Iq (mA) 0.35 Switch node voltage (V) 0 Features (x1) PWM, Synchronous Rectification Driver configuration Single
Bootstrap supply voltage (max) (V) 33 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 8 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Rating Automotive Propagation delay time (μs) 0.014 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 5 Iq (mA) 0.35 Switch node voltage (V) 0 Features (x1) PWM, Synchronous Rectification Driver configuration Single
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6 VSON (DRB) 8 9 mm2 3 x 3
  • 符合汽車應(yīng)用要求
  • 驅(qū)動(dòng)兩個(gè)具有 14ns 自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間的 N 溝道 MOSFET
  • 寬柵極驅(qū)動(dòng)電壓：4.5V 至 8.8V，在 7V 至 8V 時(shí)效率最高
  • 動(dòng)力總成系統(tǒng)寬輸入電壓：3V 至 27V
  • 寬輸入 PWM 信號(hào)：2V 至 13.2V 振幅
  • 能夠以每相 ≥40A 的電流驅(qū)動(dòng) MOSFET
  • 高頻運(yùn)行：14ns 傳播延遲和 10ns 上升或下降時(shí)間支持高達(dá) 2MHz 的 FSW
  • 能夠傳播 <30ns 的輸入 PWM 脈沖
  • 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器灌入導(dǎo)通電阻 (0.4?) 防止與 dV/dT 相關(guān)的擊穿電流
  • 用于功率級(jí)關(guān)斷的三態(tài) PWM 輸入
  • 通過同一引腳支持使能（輸入）和電源正常（輸出）信號(hào)來節(jié)省空間
  • 熱關(guān)斷
  • UVLO 保護(hù)
  • 內(nèi)部自舉二極管
  • 經(jīng)濟(jì)型 SOIC-8 和熱增強(qiáng)型 3mm × 3mm VSON-8 封裝
  • 常見三態(tài)輸入驅(qū)動(dòng)器的高性能替代產(chǎn)品
  • 符合汽車應(yīng)用要求
  • 驅(qū)動(dòng)兩個(gè)具有 14ns 自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間的 N 溝道 MOSFET
  • 寬柵極驅(qū)動(dòng)電壓：4.5V 至 8.8V，在 7V 至 8V 時(shí)效率最高
  • 動(dòng)力總成系統(tǒng)寬輸入電壓：3V 至 27V
  • 寬輸入 PWM 信號(hào)：2V 至 13.2V 振幅
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  • 內(nèi)部自舉二極管
  • 經(jīng)濟(jì)型 SOIC-8 和熱增強(qiáng)型 3mm × 3mm VSON-8 封裝
  • 常見三態(tài)輸入驅(qū)動(dòng)器的高性能替代產(chǎn)品

TPS28225-Q1 是一款高速驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)具有自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制的 N 溝道互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET。此驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過優(yōu)化，適用于多種高電流、單相和多相直流/直流轉(zhuǎn)換器。TPS28225-Q1 是一個(gè)提供高效率、小尺寸、低 EMI 發(fā)射的解決方案。

TPS28225-Q1 器件具有高性能特性，例如 8.8V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓、14ns 自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制、14ns 廣播延遲以及高電流（2A 拉電流和 4A 灌電流）驅(qū)動(dòng)能力。較低柵極驅(qū)動(dòng)器的0.4Ω阻抗保持功率MOSFET的柵極低于它的閾值并確保在dV/dt相位結(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換中不會(huì)產(chǎn)生擊穿電壓。由內(nèi)部二極管充電的自舉電容器支持在半橋配置中使用 N 溝道 MOSFET。

TPS28225-Q1 采用經(jīng)濟(jì)型 SOIC-8 封裝和耐熱增強(qiáng)型小尺寸 VSON 封裝。此驅(qū)動(dòng)器的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C，絕對(duì)最大結(jié)溫為 150°C。

TPS28225-Q1 是一款高速驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)具有自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制的 N 溝道互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET。此驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過優(yōu)化，適用于多種高電流、單相和多相直流/直流轉(zhuǎn)換器。TPS28225-Q1 是一個(gè)提供高效率、小尺寸、低 EMI 發(fā)射的解決方案。

TPS28225-Q1 器件具有高性能特性，例如 8.8V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓、14ns 自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制、14ns 廣播延遲以及高電流（2A 拉電流和 4A 灌電流）驅(qū)動(dòng)能力。較低柵極驅(qū)動(dòng)器的0.4Ω阻抗保持功率MOSFET的柵極低于它的閾值并確保在dV/dt相位結(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換中不會(huì)產(chǎn)生擊穿電壓。由內(nèi)部二極管充電的自舉電容器支持在半橋配置中使用 N 溝道 MOSFET。

TPS28225-Q1 采用經(jīng)濟(jì)型 SOIC-8 封裝和耐熱增強(qiáng)型小尺寸 VSON 封裝。此驅(qū)動(dòng)器的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C，絕對(duì)最大結(jié)溫為 150°C。
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設(shè)計(jì)與開發(fā)

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仿真模型

TPS28225 PSpice Transient Model

SLUM287.ZIP (36 KB) - PSpice Model
下載
仿真模型

TPS28225 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM496.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下載
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評(píng)估模擬電路功能的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計(jì)和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費(fèi)使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫(kù)之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫(kù)，您可對(duì)復(fù)雜的混合信號(hào)設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計(jì)和原型解決方案，然后再進(jìn)行布局和制造，可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間并降低開發(fā)成本。?

在?PSpice for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
發(fā)送申請(qǐng)
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
VSON (DRB) 8 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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