產(chǎn)品詳情

Number of channels 3 Rating Automotive Forward/reverse channels 2 forward / 1 reverse Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.65 Creepage (min) (mm) 8 Clearance (min) (mm) 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 3 Rating Automotive Forward/reverse channels 2 forward / 1 reverse Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.65 Creepage (min) (mm) 8 Clearance (min) (mm) 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 提供功能安全
    • 可幫助進(jìn)行功能安全系統(tǒng)設(shè)計的文檔：ISO6731-Q1
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 滿足 VDA320 隔離要求
  • 50Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 穩(wěn)健可靠的隔離柵：
    • 在 1500 VRMS 工作電壓下具有超長的壽命
    • 隔離等級高達(dá) 5000 VRMS
    • 浪涌能力高達(dá) 10kV
    • CMTI 典型值為 ±75kV/μs
  • 寬電源電壓范圍：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認(rèn)輸出高電平 (ISO6731 -Q1) 和低電平 (ISO6731F -Q1) 選項
  • 1Mbps 時的每通道電流典型值為 1.6mA
  • 低傳播延遲：11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌抗擾性
    • 在整個隔離柵具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接觸放電保護(hù)
    • 低輻射
  • 寬體 SOIC (DW-16) 封裝
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • UL 1577 組件認(rèn)證計劃
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1
    • GB 4943.1-2011 認(rèn)證（正在申請中）
  • 提供功能安全
    • 可幫助進(jìn)行功能安全系統(tǒng)設(shè)計的文檔：ISO6731-Q1
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 滿足 VDA320 隔離要求
  • 50Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 穩(wěn)健可靠的隔離柵：
    • 在 1500 VRMS 工作電壓下具有超長的壽命
    • 隔離等級高達(dá) 5000 VRMS
    • 浪涌能力高達(dá) 10kV
    • CMTI 典型值為 ±75kV/μs
  • 寬電源電壓范圍：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認(rèn)輸出高電平 (ISO6731 -Q1) 和低電平 (ISO6731F -Q1) 選項
  • 1Mbps 時的每通道電流典型值為 1.6mA
  • 低傳播延遲：11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌抗擾性
    • 在整個隔離柵具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接觸放電保護(hù)
    • 低輻射
  • 寬體 SOIC (DW-16) 封裝
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • UL 1577 組件認(rèn)證計劃
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1
    • GB 4943.1-2011 認(rèn)證（正在申請中）

ISO6731 -Q1 器件是高性能三通道數(shù)字隔離器，可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS 隔離額定值，非常適合具有此類需求的成本敏感型應(yīng)用。此器件還通過了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 認(rèn)證。

在隔離互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 或低電壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (LVCMOS) 數(shù)字 I/O 的同時， ISO6731-Q1 器件還可提供高電磁抗擾度和低輻射，并具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。該器件配有使能引腳，可用于在多主驅(qū)動應(yīng)用中將各自的輸出置于高阻抗?fàn)顟B(tài)。ISO6731 -Q1 器件具有兩個正向通道和一個反向通道。如果輸入功率或信號出現(xiàn)損失，不帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出低電平。更多詳細(xì)信息，請參閱器件功能模式部分。

該器件與隔離式電源結(jié)合使用，有助于防止 CAN 和 LIN 等數(shù)據(jù)總線上的噪聲電流損壞敏感電路。憑借創(chuàng)新型芯片設(shè)計和布局技術(shù)， ISO6731-Q1 器件的電磁兼容性得到了顯著增強(qiáng)，可緩解系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌問題并符合輻射標(biāo)準(zhǔn)。 ISO6731-Q1 器件采用 16 引腳 SOIC 寬體 (DW) 封裝，是對前幾代器件的引腳到引腳的升級。

ISO6731 -Q1 器件是高性能三通道數(shù)字隔離器，可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS 隔離額定值，非常適合具有此類需求的成本敏感型應(yīng)用。此器件還通過了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 認(rèn)證。

在隔離互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 或低電壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (LVCMOS) 數(shù)字 I/O 的同時， ISO6731-Q1 器件還可提供高電磁抗擾度和低輻射，并具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。該器件配有使能引腳，可用于在多主驅(qū)動應(yīng)用中將各自的輸出置于高阻抗?fàn)顟B(tài)。ISO6731 -Q1 器件具有兩個正向通道和一個反向通道。如果輸入功率或信號出現(xiàn)損失，不帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出低電平。更多詳細(xì)信息，請參閱器件功能模式部分。

該器件與隔離式電源結(jié)合使用，有助于防止 CAN 和 LIN 等數(shù)據(jù)總線上的噪聲電流損壞敏感電路。憑借創(chuàng)新型芯片設(shè)計和布局技術(shù)， ISO6731-Q1 器件的電磁兼容性得到了顯著增強(qiáng)，可緩解系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌問題并符合輻射標(biāo)準(zhǔn)。 ISO6731-Q1 器件采用 16 引腳 SOIC 寬體 (DW) 封裝，是對前幾代器件的引腳到引腳的升級。
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* 數(shù)據(jù)表 EMC 性能優(yōu)異的 ISO6731-Q1 通用三通道汽車類數(shù)字隔離器 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2023年 2月 15日
證書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AA) 2026年 3月 10日
證書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Z) 2026年 1月 8日
證書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. R) 2025年 9月 8日
證書 CSA Certificate for ISO67xxDW (Rev. A) 2025年 8月 20日
證書 CQC Certificate for ISOxxDWx (Rev. K) 2025年 8月 18日
證書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. L) 2025年 8月 15日
白皮書 Why are Digital Isolators Certified to Meet Electrical Equipment Standards? 2021年 11月 16日
白皮書 絕緣穿透距離：數(shù)字隔離器如何滿足認(rèn)證要求 英語版 PDF | HTML 2021年 9月 27日
功能安全信息 ISO6731-Q1 Functional Safety, FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA PDF | HTML 2021年 2月 22日
應(yīng)用手冊 所選封裝材料的熱學(xué)和電學(xué)性質(zhì) 2008年 10月 16日

設(shè)計與開發(fā)

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評估板

DIGI-ISO-EVM — 通用數(shù)字隔離器評估模塊

DIGI-ISO-EVM 是一個評估模塊 (EVM)，用于評估 TI 采用以下五種不同封裝的任何單通道、雙通道、三通道、四通道或六通道數(shù)字隔離器器件：8 引腳窄體 SOIC (D)、8 引腳寬體 SOIC (DWV)、16 引腳寬體 SOIC (DW)、16 引腳超寬體 SOIC (DWW) 和 16 引腳 QSOP (DBQ) 封裝。此 EVM 具有足夠的 Berg 引腳選項，支持使用超少的外部元件來評估相應(yīng)器件。

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評估板

ISO6741DWEVM — ISO67xx 通用、三或四通道數(shù)字隔離器評估模塊

ISO6741DWEVM 是一款用于評估 ISO67xx 的評估模塊，ISO67xx 是采用 16 引腳 WB SOIC 封裝（封裝代碼 DW）的低速通用三通道或四通道數(shù)字隔離器。此 EVM 具有足夠的測試點(diǎn)和跳線選項，支持使用超少的外部元件來評估相應(yīng)器件。
用戶指南: PDF
英語版: PDF
TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

ISO6731 PSpice Transient Model

SLLM483.ZIP (887 KB) - PSpice Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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