產(chǎn)品詳情

Number of channels 6 Rating Catalog Forward/reverse channels 3 forward / 3 reverse Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 25 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 CMTI (min) (V/μs) 50000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.5 Creepage (min) (mm) 8 Clearance (min) (mm) 8
Number of channels 6 Rating Catalog Forward/reverse channels 3 forward / 3 reverse Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 25 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 CMTI (min) (V/μs) 50000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.5 Creepage (min) (mm) 8 Clearance (min) (mm) 8
SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 支持高能效應用要求的業(yè)界通用六通道數(shù)字隔離器的引腳對引腳低功耗替代品
  • 自動啟用高速通道以支持雙向喚醒,且在待機狀態(tài)下具有超低靜態(tài)電流:VCC = 3.3V (85°C) 時每側(cè)的電流(最大值)為 442μA
  • 高速數(shù)據(jù)通道上的數(shù)據(jù)速率為 50Mbps
  • 低速控制通道上具有自動使能功能,數(shù)據(jù)速率為 4Mbps
  • 低傳播延遲:3.3V 時為 13.75ns(最大值)
  • 穩(wěn)健可靠的 SiO2 隔離柵:
    • 在 750VRMS 工作電壓下具有超長的壽命
    • 寬溫度范圍:-40°C 至 125°C
    • 隔離等級高達 5000VRMS
    • 浪涌抗擾度高達 10.4kV
    • CMTI 典型值為 ±50kV/μs
  • 電源電壓范圍:2.5V 至 5.5V
  • 2.5V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認輸出高電平 (ISO6163) 和低電平 (ISO6163F) 選項
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌抗擾性
    • 低輻射
  • 寬體 SOIC (DW-16) 封裝
  • 安全相關(guān)認證:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 組件認證計劃
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 認證
  • 支持高能效應用要求的業(yè)界通用六通道數(shù)字隔離器的引腳對引腳低功耗替代品
  • 自動啟用高速通道以支持雙向喚醒,且在待機狀態(tài)下具有超低靜態(tài)電流:VCC = 3.3V (85°C) 時每側(cè)的電流(最大值)為 442μA
  • 高速數(shù)據(jù)通道上的數(shù)據(jù)速率為 50Mbps
  • 低速控制通道上具有自動使能功能,數(shù)據(jù)速率為 4Mbps
  • 低傳播延遲:3.3V 時為 13.75ns(最大值)
  • 穩(wěn)健可靠的 SiO2 隔離柵:
    • 在 750VRMS 工作電壓下具有超長的壽命
    • 寬溫度范圍:-40°C 至 125°C
    • 隔離等級高達 5000VRMS
    • 浪涌抗擾度高達 10.4kV
    • CMTI 典型值為 ±50kV/μs
  • 電源電壓范圍:2.5V 至 5.5V
  • 2.5V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認輸出高電平 (ISO6163) 和低電平 (ISO6163F) 選項
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌抗擾性
    • 低輻射
  • 寬體 SOIC (DW-16) 封裝
  • 安全相關(guān)認證:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 組件認證計劃
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 認證

ISO6163 器件是高性能六通道數(shù)字隔離器,可提供符合 UL 1577 的高達 5000VRMS 隔離額定值,專為具有此類需求的高能效和成本敏感型應用而設(shè)計。這些器件還通過了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 認證。

ISO6163 器件經(jīng)過優(yōu)化,提供了高速數(shù)據(jù)通道的低靜態(tài)電流和雙向自動使能,適用于高能效應用,例如電器、電池監(jiān)測、計量和電網(wǎng)。

這些器件具有低功耗、高電磁抗擾度和低輻射等特性,同時隔離 CMOS 或 LVCMOS 數(shù)字 I/O 信號,如:GPIO、SPI(ADC、DAC、其他外設(shè))、UART、RS-485、RS-232 和 CAN 。每個通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的專有二氧化硅 (SiO2) 隔離柵相隔離。

ISO6163 器件具有三個正向通道和三個反向通道。該器件提供兩個具有雙向自動使能控制功能的低速數(shù)據(jù)通道。低速控制通道會在需要時自動啟用高速通道,或在系統(tǒng)不需要高速數(shù)據(jù)傳輸時關(guān)閉高速通道(輸出高阻抗)以進一步降低功耗。如果輸入功率或信號出現(xiàn)損失,不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平,帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。

ISO6163 器件是高性能六通道數(shù)字隔離器,可提供符合 UL 1577 的高達 5000VRMS 隔離額定值,專為具有此類需求的高能效和成本敏感型應用而設(shè)計。這些器件還通過了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 認證。

ISO6163 器件經(jīng)過優(yōu)化,提供了高速數(shù)據(jù)通道的低靜態(tài)電流和雙向自動使能,適用于高能效應用,例如電器、電池監(jiān)測、計量和電網(wǎng)。

這些器件具有低功耗、高電磁抗擾度和低輻射等特性,同時隔離 CMOS 或 LVCMOS 數(shù)字 I/O 信號,如:GPIO、SPI(ADC、DAC、其他外設(shè))、UART、RS-485、RS-232 和 CAN 。每個通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的專有二氧化硅 (SiO2) 隔離柵相隔離。

ISO6163 器件具有三個正向通道和三個反向通道。該器件提供兩個具有雙向自動使能控制功能的低速數(shù)據(jù)通道。低速控制通道會在需要時自動啟用高速通道,或在系統(tǒng)不需要高速數(shù)據(jù)傳輸時關(guān)閉高速通道(輸出高阻抗)以進一步降低功耗。如果輸入功率或信號出現(xiàn)損失,不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平,帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。

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技術(shù)文檔

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* 數(shù)據(jù)表 ISO6163 具有自動使能功能的低功耗、高速六通道數(shù)字隔離器 數(shù)據(jù)表 (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2025年 2月 11日
證書 CSA Certificate for ISO6163DW 2026年 1月 8日
證書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. R) 2025年 9月 8日
證書 CQC Certificate for ISOxxDWx (Rev. K) 2025年 8月 18日
證書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. L) 2025年 8月 15日
應用手冊 使用具有自動使能的 ISO6163 數(shù)字隔離器提高電器和工業(yè)應用 中的能源效率 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 3月 5日
應用手冊 所選封裝材料的熱學和電學性質(zhì) 2008年 10月 16日

設(shè)計與開發(fā)

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評估板

DIGI-ISO-EVM — 通用數(shù)字隔離器評估模塊

DIGI-ISO-EVM 是一個評估模塊 (EVM),用于評估 TI 采用以下五種不同封裝的任何單通道、雙通道、三通道、四通道或六通道數(shù)字隔離器器件:8 引腳窄體 SOIC (D)、8 引腳寬體 SOIC (DWV)、16 引腳寬體 SOIC (DW)、16 引腳超寬體 SOIC (DWW) 和 16 引腳 QSOP (DBQ) 封裝。此 EVM 具有足夠的 Berg 引腳選項,支持使用超少的外部元件來評估相應器件。

用戶指南: PDF | HTML
英語版: PDF | HTML
TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

ISO6163 IBIS model

SLLM509.ZIP (13 KB) - IBIS Model
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息:
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計。

支持和培訓

視頻