主頁 電源管理 MOSFET

CSD88539ND

正在供貨

采用 SO-8 封裝的雙路、28mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

產(chǎn)品詳情

VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 28 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 11.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 28 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 11.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 雪崩級(jí)
  • 無鉛
  • 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
  • 無鹵素
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 雪崩級(jí)
  • 無鉛
  • 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
  • 無鹵素

這款雙通道 SO-8、60V、23mΩ NexFET™ 功率 MOSFET 設(shè)計(jì)用于在低電流電機(jī)控制應(yīng)用中充當(dāng)半橋。

這款雙通道 SO-8、60V、23mΩ NexFET™ 功率 MOSFET 設(shè)計(jì)用于在低電流電機(jī)控制應(yīng)用中充當(dāng)半橋。
下載

技術(shù)文檔

star =有關(guān)此產(chǎn)品的 TI 精選熱門文檔
未找到結(jié)果。請(qǐng)清除搜索并重試。
查看全部 1
頂層文檔 類型 標(biāo)題 格式選項(xiàng) 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 CSD88539ND 雙通道 60V N 溝道 NexFET 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2023年 12月 15日

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

支持和培訓(xùn)

可獲得 TI 工程師技術(shù)支持的 TI E2E? 論壇

所有內(nèi)容均由 TI 和社區(qū)貢獻(xiàn)者按“原樣”提供，并不構(gòu)成 TI 規(guī)范。請(qǐng)參閱使用條款。

如果您對(duì)質(zhì)量、包裝或訂購 TI 產(chǎn)品有疑問，請(qǐng)參閱 TI 支持。??????????????