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CSD88537ND

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采用 SO-8 封裝的雙路、15mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

產(chǎn)品詳情

VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 15 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 16 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 15 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 16 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 雪崩額定值
  • 無鉛
  • 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
  • 無鹵素

應(yīng)用范圍

  • 用于電機(jī)控制的半橋
  • 同步降壓轉(zhuǎn)換器
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 雪崩額定值
  • 無鉛
  • 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
  • 無鹵素

應(yīng)用范圍

  • 用于電機(jī)控制的半橋
  • 同步降壓轉(zhuǎn)換器

這款雙路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低電流電機(jī)控制應(yīng)用中的半橋。

頂視圖

要了解所有可用封裝，請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。 RθJA = 60°C/W，這是在一個(gè)厚度 0.06 英寸環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的銅焊盤上測得的典型值
。最大 RθJL = 20°C/W，脈沖持續(xù)時(shí)間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

這款雙路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低電流電機(jī)控制應(yīng)用中的半橋。

頂視圖

要了解所有可用封裝，請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。 RθJA = 60°C/W，這是在一個(gè)厚度 0.06 英寸環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的銅焊盤上測得的典型值
。最大 RθJL = 20°C/W，脈沖持續(xù)時(shí)間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

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* 數(shù)據(jù)表 CSD88537ND 雙路 60V N 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2014年 9月 10日

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

支持和培訓(xùn)